新潔能NCE3407高性能P溝道增強型功率MOSFET適用于PWM等多種應用場景

NCE3407是由無錫新潔能NCE功率有限公司生產的一款P溝道增強型功率MOSFET。它采用先進的溝槽技術，能夠提供出色的導通電阻（RDS(ON)），并具備高功率和電流處理能力，適用于多種應用場景，如PWM應用、負載開關和功率管理等，即新潔能NCE3407高性能P溝道增強型功率MOSFET適用于PWM等多種應用場景。

基本特性

- 電氣參數：

- 漏源電壓（VDS）：-30V

- 連續漏極電流（ID）：-4.6A

- 脈沖漏極電流（IDM）：-20A

- 導通電阻（RDS(ON)）：

- 在VGS=-10V時，RDS(ON)小于65mΩ

- 在VGS=-4.5V時，RDS(ON)小于95mΩ

- 封裝形式：采用SOT-23封裝，這種封裝形式結構緊湊，適合表面貼裝，能夠滿足高密度、小型化應用的需求，同時也有利于良好的散熱性能。

- 環保特性：NCE3407是一款無鉛產品，符合環保要求，適用于對環保有嚴格要求的應用場景。

應用領域

NCE3407適用于多種應用場景，包括但不限于：

- PWM應用：在脈寬調制（PWM）電路中，NCE3407能夠實現高效的功率轉換和控制。其低導通電阻和快速開關特性使其在高頻PWM應用中表現出色，能夠有效減少開關損耗，提高電路效率。

- 負載開關：在電源管理系統中，NCE3407可以用作負載開關，快速、準確地控制電源與負載之間的連接和斷開，實現電源的高效管理和分配。

- 功率管理：在各種電子設備中，NCE3407可用于功率管理電路，實現電源的開關控制、電壓調節等功能，提高設備的能效和可靠性。

電氣特性與動態性能

- 導通特性：

- 在VGS=-10V、ID=-4.6A的條件下，導通電阻（RDS(ON)）的典型值為48mΩ，最大值為65mΩ。

- 在VGS=-4.5V、ID=-4A時，RDS(ON)的典型值為60mΩ，最大值為95mΩ。

- 動態特性：

- 輸入電容（Clss）：650pF

- 輸出電容（Coss）：105pF

- 反向傳輸電容（Crss）：65pF

- 開關特性：

- 開通延遲時間（td(on)）：8.5ns

- 開通上升時間（tr）：4.5ns

- 關斷延遲時間（td(off)）：26ns

- 關斷下降時間（tf）：12.5ns

- 總柵極電荷（Qg）：12.5nC

- 柵極源極電荷（Qgs）：2.8nC

- 柵極漏極電荷（Qgd）：2.7nC

安全與可靠性

- 雪崩能力：雖然NCE3407的規格書中沒有明確提到雪崩能量（EAS），但其具有較高的漏源電壓（VDS）和漏極電流（ID）能力，能夠在一定程度上承受過載和異常情況，增強了器件在復雜工作環境下的可靠性。

- 測試與認證：該產品經過了嚴格的測試，確保了其在生產過程中的質量和一致性，為用戶提供了可靠的保障。

封裝信息與注意事項

- 封裝尺寸：NCE3407采用SOT-23封裝，其封裝尺寸為：

- A：1.25mm

- B：1.25mm

- C：0.60mm

- D：2.50mm

- E：1.25mm

- L：0.80mm

- 使用注意事項：雖然NCE3407具有高性能和可靠性，但在使用時仍需注意其最大額定值和工作條件范圍，避免超過規格參數導致設備損壞。此外，用戶在將其應用于特定產品或設備時，應進行充分的評估和測試，以確保其性能和功能符合實際需求。

綜上所述，NCE3407憑借其低導通電阻、快速開關特性和緊湊的封裝形式，能夠滿足PWM應用、負載開關和功率管理等多種應用的需求，是現代電子設備中理想的功率MOSFET選擇。